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TP0202T-T1
0.041
TP0202T-T1 数据手册 (4 页)
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TP0202T-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-236
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.41A

TP0202T-T1 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.03 MByte

TP0202 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
高边开关流导通电阻:0.9?低门槛:-2.1V开关速度快:18纳秒低输入电容:55 pF的
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TP0202K-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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