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TP2104N3
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TP2104N3 数据手册 (7 页)
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TP2104N3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
6 Ω
功耗
740 mW
漏源击穿电压
40 V
上升时间
4 ns
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

TP2104N3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm

TP2104N3 数据手册

Microchip(微芯)
7 页 / 0.55 MByte

TP2104 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -2 V
Microchip(微芯)
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip
Supertex(超科)
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Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
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