TPC6003 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.024Ω/Ohm @3A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 30 V) Enhancement-model: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 19mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=7 S（典型值） 低漏电流：IDSS= 10μA（最大值）（VDS= 30 V） 增强模型：VTH =1.3〜2.5 V（VDS=10 V，ID= 1毫安）