TPC6102 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 60mΩ@ VGS = -10V, ID = -2.2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8~-2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U-MOSII) NOTEBOOK PC PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS Low drain-source on resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement-model 描述与应用| 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS型（U-MOSII） 笔记本电脑 便携式设备应用 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模型