TPC8208(TE12L,Q,M)

器件3D模型

￥ 0

TPC8208(TE12L,Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TPC8208(TE12L,Q,M) 数据手册 (7 页)

TPC8208(TE12L,Q,M) 数据手册 (7 页)

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TPC8208(TE12L,Q,M) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

50 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

5A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

780pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

450 mW

下降时间

2.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

TPC8208(TE12L,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.68 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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TPC8208(TE12L,Q,M) 符合标准

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7 页 / 0.21 MByte

TPC8208(TE12L,Q,M) 产品设计参考手册

Toshiba（东芝）

63 页 / 1.58 MByte

TPC8208(TE12L,Q,M) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

7 页 / 0.19 MByte

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