TPC8303 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20 V 最大漏极电流Id Drain Current | -4.5A 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance | VGS = −4 V, ID = −2.2 A RDS=55~65mΩ VGS = −10 V, ID = −2.2 A RDS=27~35mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | −0.8~ −2.0 V 耗散功率Pd Power Dissipation | 0.75W 描述与应用 Description & Applications | 　　东芝硅P沟道MOS场效应晶体管类型(U?MOSII) 　　锂离子电池应用 　　便携式设备的应用程序 　　笔记本电脑 　　低消耗源电阻:RDS()= 27 mΩ(typ)。 　　高向前转移导纳:| yf | = 7 S(typ)。 　　低漏电流:ids=-10μA(max)(VDS =-30 V) 　　增强模式:Vth =-0.8 ~-2.0 V(VDS =?10 V,ID =?1 mA) 技术文档PDF下载 | 在线阅读