Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Toshiba(东芝) > TPH4R606NH,L1Q Datasheet 文档
TPH4R606NH,L1Q
器件3D模型
0.924
TPH4R606NH,L1Q 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TPH4R606NH,L1Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOP-8
功耗
1.6W (Ta), 63W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
3965pF @30V(Vds)
耗散功率(Max)
1.6W (Ta), 63W (Tc)

TPH4R606NH,L1Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

TPH4R606NH,L1Q 数据手册

Toshiba(东芝)
9 页 / 0.23 MByte
Toshiba(东芝)
9 页 / 0.23 MByte

TPH4R606NHL1 数据手册

Toshiba(东芝)
8-SOP 高级
Toshiba(东芝)
MOS场效应管 TPH4R606NH,L1Q(M SOP-8
Toshiba(东芝)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z