器件3D模型

￥ 2.139

TPS2015DR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

电源管理

封装:

SOIC-8

描述:

使能端低电平有效、具有故障报告功能的 1.1A、4V 至 5.5V 单路高侧 MOSFET 8-SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TPS2015DR 数据手册 (26 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在19 页 21 页 22 页

典型应用电路图在1 页 9 页

原理图在1 页 7 页

TPS2015DR 数据手册 (26 页)

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TPS2015DR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

7.00V (max)

封装

SOIC-8

输出接口数

1 Output

输入电压(DC)

5.50 V

漏源极电阻

95.0 mΩ

功耗

725 mW

上升时间

4000 µs

输入电压(Max)

5.5 V

输入电压(Min)

4 V

输出电流(Max)

1 A

下降时间

3900 µs

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

耗散功率(Max)

725 mW

输入电压

4V ~ 5.5V

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TPS2015DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

0℃ ~ 125℃ (TJ)

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TPS2015DR 符合标准

TPS2015DR 海关信息

TPS2015DR 概述

TPS2015DR 数据手册

TI（德州仪器）

26 页 / 1.13 MByte

TPS2015DR 开发手册

TI（德州仪器）

21 页 / 0.47 MByte

TPS2015DR 产品手册

TI（德州仪器）

22 页 / 0.42 MByte

TPS2015 数据手册

TPS2015DR 数据手册

TI（德州仪器）

使能端低电平有效、具有故障报告功能的 1.1A、4V 至 5.5V 单路高侧 MOSFET 8-SOIC

TPS2015D 数据手册

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TPS2015D 电源分配开关电源IC SOIC-8 marking/标记 2015D 配电开关

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