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器件3D模型
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TPS3808G18DRVT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电源监控芯片
封装:
WDFN-6
描述:
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
Pictures:
3D模型
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TPS3808G18DRVT 数据手册 (32 页)
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TPS3808G18DRVT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
WDFN-6
静态电流
2.40 µA
阈值电压
1.67 V
复位电压(Min)
1.6616 V
复位电压(Max)
1.6783 V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
6.5 V
电源电压(Min)
1.65 V
查看数据手册 >
TPS3808G18DRVT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
2 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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TPS3808G18DRVT 海关信息
TPS3808G18DRVT 数据手册
TPS3808G18DRVT
数据手册
TI(德州仪器)
32 页 / 1.03 MByte
TPS3808G18DRVT
用户编程技术手册
TI(德州仪器)
33 页 / 1.66 MByte
TPS3808G18DRVT
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
2 页 / 0.05 MByte
TPS3808G18 数据手册
TPS3808G18
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
TPS3808G18
DBVR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS3808G18DBVR 监控器可编程继电器, 低静态电流, 低电平有效 复位, 1.7V-6.5V输入, SOT-23-6
TPS3808G18
DRVT
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
TPS3808G18
DBVT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS3808G18DBVT 芯片, 监控器, 2.7UA, 6.5V, SOT23-6
TPS3808G18
DRVR
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
TPS3808G18
QDBVRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 LOW-QUIESCENT-CURRENT PROGRAMMABLE-DELAY SUPERVISORY CIRCUIT
TPS3808G18
DBVTG4
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
TPS3808G18
DBVRG4
数据手册
TI(德州仪器)
低静态电流可编程延迟监控电路 Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit
TPS3808G18
-Q1
数据手册
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