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Datasheet 搜索 > 比较器 > Silicon Labs(芯科) > TS12011ITD1022 Datasheet 文档
TS12011ITD1022
器件3D模型
2.114
TS12011ITD1022 数据手册 (18 页)
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TS12011ITD1022 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
封装
TDFN-10
供电电流
1.1 µA
电路数
1 Circuit
功耗
1078 mW
共模抑制比
60 dB
增益频宽积
15 kHz
输入补偿电压
3.5 mV
输入偏置电流
20 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1078 mW

TS12011ITD1022 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
高度
0.55 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TS12011ITD1022 数据手册

Silicon Labs(芯科)
18 页 / 1.47 MByte

TS12011 数据手册

Touchstone Semiconductor
Silicon LabsSilicon Labs 具有低于 1 μA 电源电流、精密 CMOS 运算放大器,可完全指定在 0.8 V 到 5.5 V 电源电压范围内工作。 它们经优化,以用于超长使用寿命电池供电应用。### 运算放大器,Silicon Labs
Silicon Labs(芯科)
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  TS12011ITD1022T  运算放大器, 单路, 15 kHz, 1个放大器, 6 V/ms, 800mV 至 2.5V, µDFN, 10 引脚
Silicon Labs(芯科)
监控电路 A 0.8V/1.5 A Op Amp/Reference/Comparator w/Push-pull Output IC, UDFN22EP-10
Touchstone Semiconductor
TS12011/TS12012 Nanopower 运算放大器、比较器和参考演示板,Silicon LabsTS12011/TS12012 结合了一个 0.58V 参考、20μs 模拟比较器和一个单位增益稳定运算放大器,采用单个封装。 所有三个设备的工作电压范围为 0.8V 至 2.5V 单电源,且消耗少于 1.6μA 总电源电流。 经过优化用于超长寿命、单电池和电池供电应用,这些设备为 Touchstone 高性能“NanoWatt Analog™”。 模拟比较器和运算放大器均具有轨对轨输入级。 模拟比较器显示 ±7.5mV 内部滞后,用于清洁、无振动输出切换。 内部参考设计用于高达 0.1μA 负载电流的为阱电流或源电流。 与类似产品相比,TS12011 和 TS12012 提供 20 因数低功耗,且印刷电路板面积可减小至少 55%。Nanopower 运算放大器、比较器和 0.58V 参考,采用 4 mm² 封装 超低总电源电流:1.6μA(最大值) 电源电压操作:0.8V 至 2.5V 内部 0.58V 参考 运算放大器和比较器输入范围为轨对轨 单位增益稳定运算放大器,带 AVOL = 104dB 运算放大器输出:轨对轨和无逆相位 内部 ±7.5mV 比较器滞后 20μs 比较器传播延迟 可重置锁存型比较器 TS12011:推挽式轨对轨输出级,带无电流消弧切换 TS12012:开路输出级用于有线或混合电压系统应用 ### 运算放大器,Silicon Labs
Touchstone Semiconductor
Silicon Labs(芯科)
Cooper Bussmann(库柏)
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