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TS861IN
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TS861IN 数据手册 (19 页)
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TS861IN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
电源电压
2.70V (min)
封装
DIP-8
输出电流
5.00 mA
供电电流
14.0 mA
通道数
1 Channel
共模抑制比
70 dB

TS861IN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TS861IN 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.45 MByte

TS861 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
轨至轨微功耗BICMOS比较仪 RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TS861ILT  模拟比较器, 轨至轨, BiCMOS, 1, 500 ns, 2.7V 至 10V, SOT-23, 5 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
TS86 系列 SOT 23-5 轨对轨 微功率 BiCMOS 比较器
ST Microelectronics(意法半导体)
比较器 TS861AIDT SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
TS86 系列 1 元件 轨对轨 微功耗 BiCMOS 比较器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
轨至轨微功率比较器的BiCMOS Rail-to-rail micropower BiCMOS comparators
ST Microelectronics(意法半导体)
轨至轨微功耗BICMOS比较仪 RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
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