器件3D模型

￥ 1.191

TSC103IDT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TSC103IDT 数据手册 (25 页)

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TSC103IDT 数据手册 (25 页)

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TSC103IDT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

26 mA

供电电流

200 µA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

共模抑制比

95 dB

输入补偿电压

500 µV

输入偏置电流

10 µA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

3dB带宽

700 kHz

增益带宽

95 dB

共模抑制比(Min)

95dB ~ 105dB

电源电压

2.7V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5V ~ 7V

电源电压(Min)

2.7 V

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TSC103IDT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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TSC103IDT 符合标准

TSC103IDT 海关信息

TSC103IDT 概述

TSC103IDT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

25 页 / 0.94 MByte

TSC103IDT 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.47 MByte

TSC103IDT 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 3.06 MByte

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