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TSDF1220W-GS08
0.094
TSDF1220W-GS08 数据手册 (6 页)
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TSDF1220W-GS08 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
功耗
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

TSDF1220W-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

TSDF1220W-GS08 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.08 MByte

TSDF1220 数据手册

VISHAY(威世)
硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor
Vishay Semiconductor(威世)
TSDF1220 NPN三极管 9V 40mA 12GHz 100 100mV/0.1V SOT-143 marking/标记 F20 前置放大器,混频器和振荡器
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
12 GHz的硅NPN平面RF晶体管 12 GHz Silicon NPN Planar RF Transistor
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