器件3D模型

￥ 1.754

TSH112ID 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

宽频带，低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TSH112ID 数据手册 (15 页)

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TSH112ID 数据手册 (15 页)

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TSH112ID 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

4 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

共模抑制比

58 dB

转换速率

230 V/μs

增益频宽积

100 MHz

输入补偿电压

900 µV

输入偏置电流

3 µA

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

3dB带宽

100 MHz

共模抑制比(Min)

58 dB

电源电压(Max)

12 V

电源电压(Min)

5 V

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TSH112ID 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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TSH112ID 符合标准

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