器件3D模型

￥ 10.445

TSH112IDT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TSH112IDT 数据手册 (15 页)

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TSH112IDT 数据手册 (15 页)

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TSH112IDT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

4 mA

电路数

2 Circuit

转换速率

450 V/μs

输入补偿电压

900 µV

输入偏置电流

3 µA

3dB带宽

100 MHz

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TSH112IDT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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TSH112IDT 符合标准

TSH112IDT 概述

TSH112IDT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.17 MByte

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