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器件3D模型
¥ 2.005
TSH113ID 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
SOIC-14
描述:
宽频带,低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
TSH113ID 数据手册 (15 页)
封装尺寸
在
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TSH113ID 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-14
供电电流
4 mA
电路数
3 Circuit
通道数
3 Channel
共模抑制比
58 dB
转换速率
230 V/μs
增益频宽积
100 MHz
输入补偿电压
900 µV
输入偏置电流
3 µA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
3dB带宽
100 MHz
电源电压(Max)
12 V
电源电压(Min)
5 V
查看数据手册 >
TSH113ID 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
TSH113ID 符合标准
TSH113ID 概述
●
电流反馈 放大器 3 电路 - 14-SO
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TSH113ID
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TSH113
IDT
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers
TSH113
ID
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
宽频带,低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
TSH113
IPT
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
宽频带,低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
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