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TSKS5400S
0.312

TSKS5400S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
电源电压
1.70 V
封装
Side Looking
额定功率
170 mW
上升/下降时间
0.4 µs
针脚数
2 Position
正向电压
1.3 V
波长
950 nm
视角
30°
峰值波长
950 nm
功耗
170 mW
上升时间
800 ns
测试电流
100 mA
正向电流
100 mA
正向电压(Max)
1.3 V
正向电流(Max)
100 mA
下降时间
450 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
耗散功率(Max)
170 mW

TSKS5400S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.9 mm
宽度
2.65 mm
高度
4.9 mm
工作温度
-25℃ ~ 85℃ (TA)

TSKS5400S 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.23 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.16 MByte

TSKS5400 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay TSKS5400 系列红外线发光二极管Vishay Semiconductors 的 TSKS5400 系列为通孔红外线 (IR) 发光二极管。 TSKS5400 红外 LED 峰值波长 950nm,采用透明塑料封装,提供高辐射功率。 TSKS5400 红外 LED 采用侧视封装。 合适应用包括:光遮断器、透射式传感器、间隙传感器和反射式传感器。 TSKS5400 红外 LED 的特点: 侧视 通孔封装 尺寸:5 x 2.65 x 5 mm 波长:950nm 光束角:60° 高可靠性 低正向电压### 红外线 (IR) 发射器,Vishay
VISHAY(威世)
红外发光二极管,符合RoHS , 950纳米,砷化镓 Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TSKS5400S.  红外发射器, 950NM 3.2MM 侧视型 通孔安装
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TSKS5400S-ASZ  红外发射器, 30 °, 侧视, 100 mA, 1.3 V, 800 ns
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TSKS5400-FSZ  光电探测器, 施密特触发, 2路, 950nm, 整卷
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
红外发光二极管,符合RoHS , 950纳米,砷化镓 Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs
Vishay Semiconductor(威世)
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