器件3D模型

￥ 0.857

TSV358AIYDT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TSV358AIYDT 数据手册 (21 页)

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TSV358AIYDT 数据手册 (21 页)

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TSV358AIYDT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

输出电流

80mA @5V

供电电流

500 µA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

共模抑制比

65 dB

增益频宽积

1.4 MHz

输入补偿电压

100 µV

输入偏置电流

70 nA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

共模抑制比(Min)

65 dB

电源电压(Max)

6 V

电源电压(Min)

2.5 V

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TSV358AIYDT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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TSV358AIYDT 符合标准

TSV358AIYDT 海关信息

TSV358AIYDT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.68 MByte

TSV358AIYDT 产品设计参考手册

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TSV358AIYDT 其他数据使用手册

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