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器件3D模型
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TSX712IYST 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
运算放大器
封装:
SOIC-8
描述:
STMICROELECTRONICS TSX712IYST 芯片, 运算放大器, AECQ100, 2.7MHZ, MINISOIC-8 新
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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TSX712IYST 数据手册 (27 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
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在
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TSX712IYST 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
68mA @16V
供电电流
900 µA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
94 dB
带宽
2.7 MHz
转换速率
1.40 V/μs
增益频宽积
2.7 MHz
输入偏置电流
200 pA
输入电压(Max)
16 V
输入电压(Min)
2.7 V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
94 dB
电源电压
2.7V ~ 16V
输入电压
2.7V ~ 16V
查看数据手册 >
TSX712IYST 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3.2 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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TSX712IYST 符合标准
TSX712IYST 海关信息
TSX712IYST 概述
●
TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器
●
低输入偏置电压：最大 200 μV
●
低电流消耗：最大 800 μA
●
益带宽产品：2.7 MHz
●
电源操作范围 2.7 V 至 16 V
●
ESD 高容差：4 kV (HBM)
●
扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
●
汽车资格
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ST Microelectronics（意法半导体）
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数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器低输入偏置电压：最大 200 μV 低电流消耗：最大 800 μA 益带宽产品：2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差：4 kV (HBM) 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器，STMicroelectronics
TSX712
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ST Microelectronics（意法半导体）
TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器低输入偏置电压：最大 200 μV 低电流消耗：最大 800 μA 益带宽产品：2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差：4 kV (HBM) 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器，STMicroelectronics
TSX712
IYST
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS TSX712IYST 芯片, 运算放大器, AECQ100, 2.7MHZ, MINISOIC-8 新
TSX712
IYDT
数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS TSX712IYDT 芯片, 运算放大器, AEC-Q100, 2.7MHZ, 1.4V/uS, SOIC8 新
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