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TT8J11TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSST-8

描述:

2个P沟道 12V 3.5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TT8J11TCR 数据手册 (12 页)

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TT8J11TCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSST-8

极性

P-CH

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2600pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

650 mW

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

650 mW

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TT8J11TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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TT8J11TCR 符合标准

TT8J11TCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.29 MByte

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