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器件3D模型
¥ 0.667
UCC27323DR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27323DR 数据手册 (34 页)
引脚图
在
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封装尺寸
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22 页
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典型应用电路图
在
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在
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UCC27323DR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电压
300 mV
输出电流
4 A
功耗
1140 mW
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1140 mW
电源电压
4.5V ~ 15V
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UCC27323DR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
UCC27323DR 符合标准
UCC27323DR 海关信息
UCC27323DR 数据手册
UCC27323DR
数据手册
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UCC27323
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TI(德州仪器)
双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器
UCC27323
P
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
UCC27323
D
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UCC27323
DGN
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27323
DR
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27323
DGNR
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27323
DRG4
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DG4
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UCC27323
DGNRG4
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
UCC27323
PE4
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