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器件3D模型
¥ 1.794
UCC27526DSDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WDFN-8
描述:
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27526DSDR 数据手册 (43 页)
引脚图
在
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典型应用电路图
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UCC27526DSDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
WDFN-8
上升/下降时间
7ns, 6ns
输出接口数
2 Output
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
18 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 18V
查看数据手册 >
UCC27526DSDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 140℃
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UCC27526DSDR 符合标准
UCC27526DSDR 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SON(3x3)
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UCC27526DSDR 数据手册
UCC27526DSDR
数据手册
TI(德州仪器)
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UCC27526
数据手册
TI(德州仪器)
双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
UCC27526
DSDR
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TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
UCC27526
DSDT
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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