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UM6K1NTN
0.108
UM6K1NTN 数据手册 (4 页)
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UM6K1NTN 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
UMT
漏源极电阻
8 Ω
功耗
150 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

UM6K1NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

UM6K1NTN 数据手册

Ricoh(理光)
4 页 / 0.07 MByte

UM6K1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UM6K1 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 K1 接口电路 开关电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UM6K1NTN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
CJ(长电科技)
MOS场效应管 UM6K1N K1 SC-88(SOT-363) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Ricoh(理光)
UTC(友顺)
N硅沟道MOSFET
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