器件3D模型

￥ 0.02

UMC3NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-88-5

描述:

双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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UMC3NT1G 数据手册 (36 页)

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UMC3NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SC-88-5

极性

NPN, PNP

功耗

150 mW

集电极击穿电压

50.0 V

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

150 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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UMC3NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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UMC3NT1G 符合标准

UMC3NT1G 海关信息

UMC3NT1G 概述

UMC3NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.17 MByte

UMC3NT1G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

54 页 / 1.18 MByte

UMC3NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

UMC3NT1G 产品封装文件

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.16 MByte

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