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UMD12N
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UMD12N 数据手册
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UMD12N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-363
极性
NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A

UMD12N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

UMD12 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMD12 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记D12 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363
CJ(长电科技)
双数字晶体管 UMD12N D12 SOT-363
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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