UMF28N 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -60V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -150mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 22KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 0.468 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 180~390 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 140MHz/250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Power management (dual transistors) • Power switching circuit in a single package. • Mounting cost and area can be cut in half. 描述与应用| 特点 •电源管理（双晶体管） •电源开关电路，在单一封装中。 •安装成本和面积可减少一半