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UMH11N-TP
器件3D模型
0.007
UMH11N-TP 数据手册 (3 页)
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UMH11N-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSSOP-6
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
50mA
最小电流放大倍数
30 @5mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
250 MHz
耗散功率(Max)
150 mW

UMH11N-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

UMH11N-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
3 页 / 0.23 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
8 页 / 0.65 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.13 MByte

UMH11 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMH11 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
Micro Commercial Components(美微科)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMH11NFHATN  双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SC-88
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMH11N NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
CJ(长电科技)
双数字晶体管 UMH11N H11 SOT-363
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