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UMZ1NT1
器件3D模型
0.02
UMZ1NT1 数据手册 (5 页)
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UMZ1NT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
极性
PNP
功耗
187 mW
集电极击穿电压
50.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 6V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

UMZ1NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UMZ1NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

UMZ1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMZ1 NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-363/UMT6/SC-88 标记Z1 用于开关/数字电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMZ1NTR  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
稳压二极管 Zener diode
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
电压调节(阳极常用的双型) Voltage regulation (Anode common twin type)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
齐纳二极管 200mW,UMZ 系列,ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMZ16NFHT106  二极管阵列 齐纳, 16 V, 200 mW, 150 °C, SOT-323 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
稳压二极管 DIODE DUAL CMMN ANOD 17.955V 200MA
ON Semiconductor(安森美)
互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
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