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UPA810T-T1
0.606
UPA810T-T1 数据手册 (6 页)
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UPA810T-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-323-6
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
7dB ~ 9dB
最小电流放大倍数
70 @7mA, 3V
额定功率(Max)
200 mW

UPA810T-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)

UPA810T-T1 数据手册

NEC(日本电气)
6 页 / 0.25 MByte
NEC(日本电气)
3 页 / 0.2 MByte

UPA810 数据手册

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NEC(日本电气)
NEC(日本电气)
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Renesas Electronics(瑞萨电子)
,高频低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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,高频低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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