●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | Q1/Q2=9V / 9V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | Q1/Q2=5.5V / 5.5V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | Q1/Q2=100MA / 100MA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | Q1/Q2=6.5GHZ / 6.5GHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | Q1/Q2=100~145 / 100~145 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率Pc Power Dissipation | 描述与应用 Description & Applications | NEC"s NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:NE851 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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