￥ 0.13

US1G-E3/5AT 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

肖特基二极管

封装:

DO-214AC

描述:

超快恢复整流器 1A，Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

US1G-E3/5AT 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

US1G-E3/5AT 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

US1G-E3/5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

DO-214AC

正向电压

1 V

热阻

27℃/W (RθJL)

反向恢复时间

50 ns

最大反向电压(Vrrm)

400 V

正向电流

1 A

最大正向浪涌电流

30 A

最大反向漏电流

10 uA

正向电压(Max)

1V @1A

正向电流(Max)

1 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

US1G-E3/5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.5 mm

宽度

2.79 mm

高度

2.09 mm

最小包装数量

7500

查看数据手册 >

US1G-E3/5AT 符合标准

US1G-E3/5AT 概述

US1G-E3/5AT 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.07 MByte

US1G-E3/5AT 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

US1G-E3/5AT 产品设计图

VISHAY（威世）

8 页 / 0.37 MByte

US1GE35 数据手册

US1G-E3/5AT 数据手册

VISHAY（威世）

US1G-E3/5AT 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY US1G-E3/5AT 快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A

US1G-E3/51T 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

US1G-E3/5AT 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号