￥ 0.073

US6J11TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装功率 Mosfet - TUMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

US6J11TR 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

US6J11TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

190 mΩ

极性

Dual P-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

连续漏极电流(Ids)

1.3A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

290pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

320 mW

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

320 mW

查看数据手册 >

US6J11TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

US6J11TR 符合标准

US6J11TR 概述

US6J11TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.53 MByte

US6J11TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.53 MByte

US6J11 数据手册

US6J11TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装功率 Mosfet - TUMT-6

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号