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UT6J3TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerUDFN-6

描述:

2个P沟道 20V 3A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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UT6J3TCR 数据手册 (14 页)

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UT6J3TCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerUDFN-6

通道数

2 Channel

极性

P-CH

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

±20 V

连续漏极电流(Ids)

输入电容值(Ciss)

2000pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

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UT6J3TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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UT6J3TCR 符合标准

UT6J3TCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 2.54 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.56 MByte

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