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VI20100C-E3/4W 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

肖特基二极管

封装:

TO-262

描述:

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VI20100C-E3/4W 数据手册 (6 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

VI20100C-E3/4W 数据手册 (6 页)

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VI20100C-E3/4W 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-262

正向电压

0.79V @10A

最大反向电压(Vrrm)

100 V

正向电流

20 A

最大正向浪涌电流

150 A

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VI20100C-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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VI20100C-E3/4W 符合标准

VI20100C-E3/4W 数据手册

VISHAY（威世）

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VI20100CE34 数据手册

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双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

VI20100C-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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