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VI20150S-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

TVS二极管

封装:

TO-262-3

描述:

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.55 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VI20150S-E3/4W 数据手册 (8 页)

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VI20150S-E3/4W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

正向电压

1.43V @20A

正向电压(Max)

1.43V @20A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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VI20150S-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.45 mm

宽度

4.7 mm

高度

8.89 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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VI20150S-E3/4W 符合标准

VI20150S-E3/4W 海关信息

VI20150S-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.36 MByte

VI20150S-E3/4W 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.14 MByte

VI20150S-E3/4W 产品封装文件

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.22 MByte

VI20150SE34 数据手册

VI20150S-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.55 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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