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VMMK-1218-BLKG
2.391
VMMK-1218-BLKG 数据手册 (12 页)
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VMMK-1218-BLKG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 GHz
引脚数
3 Pin
封装
SMD
功耗
300 mW
漏源极电压(Vds)
5 V
输出功率
12 dBm
增益
9 dB
测试电流
20 mA
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW
额定电压
5 V

VMMK-1218-BLKG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
高度
0.25 mm

VMMK-1218-BLKG 数据手册

Broadcom(博通)
12 页 / 0.78 MByte
Broadcom(博通)
4 页 / 0.1 MByte

VMMK1218 数据手册

AVAGO Technologies(安华高科)
0.5 到 1.8GHz 低噪声 E-PHEMT 采用芯片级封装
AVAGO Technologies(安华高科)
Broadcom(博通)
BROADCOM LIMITED  VMMK-1218-BLKG  晶体管, 射频FET, Vixen 低噪, 5 V, 100 mA, 300 mW, 500 MHz, 18 GHz, SMD
Broadcom(博通)
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz
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