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VMMK-1218-TR1G 数据手册 - Broadcom（博通）

制造商:

Broadcom（博通）

分类:

晶体管

封装:

0402

描述:

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

VMMK-1218-TR1G 数据手册 (4 页)

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VMMK-1218-TR1G 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

10 GHz

引脚数

3 Pin

封装

0402

功耗

300 mW

输出功率

12 dBm

增益

9 dB

测试电流

20 mA

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

额定电压

5 V

VMMK-1218-TR1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.25 mm

VMMK-1218-TR1G 符合标准

VMMK-1218-TR1G 数据手册

VMMK-1218-TR1G 其他数据使用手册

Broadcom（博通）

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VMMK1218TR1 数据手册

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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

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