￥ 0

VN10LE 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-52

描述:

N沟道增强型MOSFET晶体管 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

VN10LE 数据手册

暂未收录 VN10LE 的数据手册

登录以发送补充文档请求

VN10LE 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-52

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.50 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.00 A

VN10LE 符合标准

VN10 数据手册

VN10LFTA 数据手册

Diodes（美台）

VN10LFTA 编带

VN10KN3-G 数据手册

Microchip（微芯）

晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V

VN10LP 数据手册

Diodes（美台）

VN10LP 袋装

VN10KN3-G-P002 数据手册

Microchip（微芯）

VN10KN3-G-P013 数据手册

Microchip（微芯）

VN101501 数据手册

ZF Electronics

VN 系列 24 V 6 mA 数字分路传感器带3个引脚

VN10KN3-G 数据手册

Supertex（超科）

VN101501 数据手册

Cherry

VN 系列 24 V 6 mA 数字分路传感器带3个引脚

VN101503 数据手册

ZF Electronics

接近传感器

VN101503 数据手册

Cherry

连接器

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号