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VN2010L 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VN2010L 数据手册 (4 页)

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VN2010L 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

漏源极电阻

10.0 Ω

极性

N-Channel

功耗

800 mW

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

190 mA

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VN2010L 符合标准

VN2010L 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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