VN2106N3-G

￥ 0.56

VN2106N3-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

VN2106N3-G 袋装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VN2106N3-G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

VN2106N3-G 数据手册 (5 页)

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VN2106N3-G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

额定功率

1 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3 Ω

功耗

1 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Tc)

查看数据手册 >

VN2106N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bag

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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VN2106N3-G 符合标准

VN2106N3-G 数据手册

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Microchip（微芯）

5 页 / 0.45 MByte

VN2106N3-G 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

6 页 / 0.13 MByte

VN2106N3-G 产品修订记录

Microchip（微芯）

3 页 / 0.5 MByte

VN2106N3-G 产品手册

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4 页 / 0.44 MByte

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