￥ 0.459

VN2410LZL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VN2410LZL1G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在3 页

VN2410LZL1G 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VN2410LZL1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

240 V

额定电流

200 mA

封装

TO-92-3

漏源极电阻

10.0 Ω

极性

N-Channel

功耗

350mW (Tc)

输入电容

125 pF

漏源极电压(Vds)

240 V

漏源击穿电压

240 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

输入电容值(Ciss)

125pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

350mW (Tc)

查看数据手册 >

VN2410LZL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

查看数据手册 >

VN2410LZL1G 符合标准

VN2410LZL1G 海关信息

VN2410LZL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

VN2410LZL1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 0.26 MByte

VN2410LZL1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

VN2410LZL1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

VN2410LZL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号