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器件3D模型
¥ 4.168
VN330SP-E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
电源管理
封装:
PowerSO-10
描述:
STMICROELECTRONICS VN330SP-E 芯片, 固态继电器 高边
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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引脚图
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VN330SP-E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
PowerSO-10
输出接口数
4 Output
输出电流
700 mA
供电电流
6 mA
针脚数
10 Position
输出电流(Max)
700 mA
输出电流(Min)
0.7 A
输入数
4 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
10V ~ 36V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
10 V
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VN330SP-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
3.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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VN330SP-E 符合标准
VN330SP-E 海关信息
VN330SP-E 概述
●
智能高侧电源开关,STMicroelectronics
●
智能电源开关 (IPS) 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。
●
### 智能电源开关,STMicroelectronics
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VN330SP-E
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产品手册
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VN330 数据手册
VN330
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN330
SPTR-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics智能高侧开关提供一个或多个通道 MOSFET 输出开关,用于驱动电感、电容和电阻负载。Multipower BCD 技术 0.5A 四个独立输出 电源电压范围:9.5 至 35V 内部电流限制 非耗散过电流保护 热关闭 带磁滞的欠压闭锁 针对欠压、过热和过电流的诊断输出 外部异步重置输入 针对过电流可预设延迟 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
VN330
SP-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VN330SP-E 芯片, 固态继电器 高边
VN330
SP
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ST Microelectronics(意法半导体)
四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN330
SP-32-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN330
SPTR-32-E
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四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
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SP13TR
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四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN330
SP8932
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ST Microelectronics(意法半导体)
四高侧智能功率固态继电器 QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN330
SP-32-E_07
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ST Microelectronics(意法半导体)
四高侧智能功率固态继电器 Quad high side smart Power solid state relay
VN330
SP(8932)
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