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器件3D模型
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VN808CMTR-E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
FET驱动器
封装:
PowerSO-36
描述:
VN808CM-E系列 45 V 12 mA 表面贴装 八通道 高边驱动器 - PowerSO-36
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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VN808CMTR-E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
36 Pin
封装
PowerSO-36
输出接口数
8 Output
输出电流
0.7 A
供电电流
12 mA
针脚数
36 Position
功耗
96 W
输出电流(Max)
700 mA
输出电流(Min)
0.7 A
输入数
4 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
96000 mW
电源电压
10.5V ~ 45V
输入电压
5.5 V
查看数据手册 >
VN808CMTR-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
15.9 mm
宽度
11 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >
VN808CMTR-E 符合标准
VN808CMTR-E 海关信息
VN808CMTR-E 概述
●
电源开关/驱动器 1:1 N 通道 700mA PowerSO-36,底部焊盘
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VN808CMTR-E 数据手册
VN808CMTR-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
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VN808 数据手册
VN808
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
八路高端驱动器的自动化市场 OCTAL HIGH SIDE DRIVER FOR THE AUTOMATION MARKET
VN808
CM-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VN808CM-E 芯片, 高压侧驱动器, 八通道, 36POWERSO
VN808
-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VN808-E 驱动器, MOSFET, 高压侧, 10.5V-45V电源, 700mA输出, 75µs延迟, SOIC-36
VN808
TR-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
VN808系列 八通道 高边 45 V 1.7 A 150 mOhm 驱动器 表面贴装 - POWERSO-36
VN808
CM-32-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics智能电源开关 (IPS) 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
VN808
CMTR-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
VN808CM-E系列 45 V 12 mA 表面贴装 八通道 高边驱动器 - PowerSO-36
VN808
CMTR-32-E
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ST Microelectronics(意法半导体)
八通道高侧驱动器 Octal channel high side driver
VN808
-32-E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS VN808-32-E 芯片, 高压侧驱动器, 八通道, 36POWERSO
VN808
SR13TR
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ST Microelectronics(意法半导体)
八通道高侧驱动器 Octal channel high side driver
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八通道高侧驱动器 Octal channel high side driver
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