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VNB10N07-E
0.53
VNB10N07-E 数据手册 (14 页)
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VNB10N07-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
50 W
输出接口数
1 Output
输出电流
120 A
供电电流
0.25 mA
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
140 mΩ
极性
N-Channel
功耗
50 W
漏源击穿电压
10.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
输入电压(Max)
18 V
输出电流(Max)
7 A
输出电流(Min)
7 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW
输入电压
18 V

VNB10N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
4.6 mm

VNB10N07-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

VNB10N07 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 10 A, 0.1 ohm, 1输出, TO-263-3
ST Microelectronics(意法半导体)
70V,100mΩ通态电阻,低边驱动器
ST Microelectronics(意法半导体)
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