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VNB35NV04TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-263-3

描述:

MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNB35NV04TR-E 数据手册 (27 页)

引脚图在5 页Hot

封装尺寸在17 页 18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页 24 页 25 页

原理图在5 页

VNB35NV04TR-E 数据手册 (27 页)

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VNB35NV04TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

输出接口数

1 Output

输出电流

60 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

35.0 A

上升时间

100 µs

输出电流(Max)

30 A

输出电流(Min)

30 A

输入数

1 Input

下降时间

110 µs

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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VNB35NV04TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNB35NV04TR-E 符合标准

VNB35NV04TR-E 海关信息

VNB35NV04TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.54 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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