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VND10BSP
2.551
VND10BSP 数据手册 (9 页)
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VND10BSP 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
12 Pin
封装
PowerSO-10
输出接口数
2 Output
供电电流
0.035 mA
负载电流
14.0 A
功耗
75000 mW
输出电流(Max)
3.4 A
输出电流(Min)
14 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
75000 mW

VND10BSP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VND10BSP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.07 MByte

VND10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND10N06 单通道 低边 自保护 60 V 10 A 0.3 Ohm 功率MOSFET-TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
电源开关 IC - 配电 40V 3.4A Hi-Side SSR
ST Microelectronics(意法半导体)
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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