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VND10N06-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

模拟开关芯片

封装:

TO-251-3

描述:

岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND10N06-1 数据手册 (25 页)

原理图在5 页

VND10N06-1 数据手册 (25 页)

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VND10N06-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

输出接口数

1 Output

输出电流

6 A

漏源极电阻

300 mΩ

功耗

35 W

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

输出电流(Max)

6 A

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VND10N06-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

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VND10N06-1 符合标准

VND10N06-1 海关信息

VND10N06-1 概述

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