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VND10N06TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

VND10N06 单通道低边自保护 60 V 10 A 0.3 Ohm 功率MOSFET-TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND10N06TR-E 数据手册 (25 页)

原理图在5 页

VND10N06TR-E 数据手册 (25 页)

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VND10N06TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

15 A

供电电流

0.15 mA

功耗

35 W

输出电流(Max)

6 A

输出电流(Min)

6 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

35000 mW

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VND10N06TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

2.4 mm

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VND10N06TR-E 符合标准

VND10N06TR-E 海关信息

VND10N06TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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