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VND14NV04TR-E
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VND14NV04TR-E 数据手册

muRata(村田)
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VND14NV04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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