￥ 0.296

VND3NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

VND3NV04 单通道低边自保护 6 V 7 A 120 mOhm 功率MOSFET - TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND3NV04-E 数据手册 (26 页)

原理图在5 页

VND3NV04-E 数据手册 (26 页)

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VND3NV04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

120 mΩ

极性

N-Channel

功耗

35000 mW

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

输出电流(Max)

3.5 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

35000 mW

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VND3NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND3NV04-E 符合标准

VND3NV04-E 海关信息

VND3NV04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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